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スイッチング評価はどのような方法で行えばいいのでしょうか？図と写真を用いて解説
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートでは、パワーデバイス、パワーモジュールなどのパワー半導体の スイッチング評価についてご紹介します。 理想のスイッチング動作は、ON/OFFする際に電流と電圧の遅れ時間がない 状態、つまり電力損失の発生がないことです。しかし、パワーデバイスの スイッチング動作時は、どうしても遅れ時間が発生します。 当社ではスイッチング評価のノウハウを持ったエンジニアがいますので、 各種パワーデバイスの評価を必要とされる場合は、是非ご相談ください。 【掲載内容】 ■IGBTモジュール 測定回路例 ■IGBTモジュール 測定環境例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
開発設計に関するお役立ち情報！当社技術者が語るノウハウを多数掲載しています
当資料は、電源について、疑問・答えをご紹介しております。 「パワエレ設計：スイッチング素子」、「ダイオード選定」、「IGBTの選定」、 「MOSFETの選定」、「電解コンデンサの選定」、「フィルムコンデンサの 選定」、「リアクトルの選定」など当社技術者が語るノウハウを掲載。 キャラクターが分かりやすく解説した一冊となっております。 【掲載内容（抜粋）】 ■#021 電源～パワエレ設計（スイッチング素子）～ ■#022 電源～パワエレ設計（ダイオードの選定）～ ■#023 電源～パワエレ設計（IGBTの選定）～ ■#024 電源～パワエレ設計（MOSFETの選定）～ ■#025 電源～パワエレ設計（電解コンデンサの選定）～ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップ！SiCや話題のGaNなどライアップ拡充中！他社相当品も豊富！
Potens(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレスメーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。
低耐圧FETから、高耐圧(1500V)まで各種製品を揃えています。 高耐圧FET製品のクロスリファレンス配布しています。
Potens(ポテンツ)は、2012年9月に設立された台湾FABレスメーカーです。 汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップがあり、 SiCや話題のGaNなどライアップ拡充しており、他社相当品も豊富！ パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。
汎用の低耐圧から1500V高耐圧MOSFETなど豊富なラインナップ！ クロスリファレンス表を配布中！
POTENS(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレス、パワー半導体メーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしております。 高耐圧600V～1500V製品まで、クロスリファレンスを作成しました。 是非、ダウンロードして頂き、新規、代替品検討、EOL対策や、セカンドソース準備、納期対策などにご活用ください。 クロスリファレンスへ掲載している製品以外にも下記の製品を取り揃えております。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 ＊クロスリファレンスは、下記「PDFダウンロード」よりご確認いただけます。 ＊サンプルをご希望の際は、お問合せ下さい。
パワー半導体FET 低耐圧 MOSFET 高耐圧 SJ MOSFET 添付資料をダウンロード！お気軽にお問い合わせく下さい！
ポテンツセミコンダクター社は2012年9月台湾にて設立した会社です。 パワー半導体を中心に製品展開を行っています。 新規設計や、代替え品として、検討ください。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。 技術サポートの特色として、20年以上の半導体開発経験を持つ半導体開発チームと 電源メーカで設計技術を蓄積してきたメンバーで構成した応用技術チームが連携し、 お客様が採用する過程で発生しうる技術的な課題（回路構成、効率、ノイズ、発熱等）に対してもお客様と一緒に解決してまいります。 また低耐圧製品から高耐圧製品（600V - 1500V)まで幅広いラインナップを取り揃えています。 製品ラインナップ製品は、 低耐圧から高耐圧品まで用意しています。 ・MOSFET ・IGBT ・Super Junction ・SiC ・Gan ◇カスタム設計対応 お客様のご要望に合せ回路/レイアウト設計サービスを提供出来ます。 是非、お問い合わせください。
回路インダクタンスの大きさを定量的に確認する方法についてお話しします
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートでは、回路インダクタンスの大きさを定量的に確認する方法に ついてご紹介します。 パワー半導体のスイッチング評価を行う測定環境を改善するために配線を 見直すことがありますが、実は測定系の回路インダクタンスの大きさが 定量的にわからないと改善は難しいのです。 シミュレーションを行う際に、実測した回路インダクタンス値を使用する ことで実測波形に近い結果が得られます。 【掲載内容】 ■回路インダクタンスの改善方法 ■IGBTモジュール 測定回路例 ■回路インダクタンスの確認方法 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電動車向けパワー半導体製造で躍進目覚ましい
当社は、「富士電機（株）の”パワー半導体”事業戦略と今後の展開」のセミナーを開催します。 炭素中立を目指す世界的な再エネ化・省エネ化、電化・電動化の潮流の中で、富士電機は近年電動車向けおよび再エネ・省エネ向けパワー半導体に力を入れ伸長させてきている。欧米日を主とした世界の強豪がひしめき、中国メーカーも勢力を伸ばしてきているパワー半導体市場の中で、特に電動車向けパワー半導体を伸長させてきた富士電機のパワー半導体の事業戦略と今後の展開について、現在の主力パワー半導体であるIGBTと今後の成長が期待されるSiC MOSFETの市場動向と技術動向を含めて詳説する。 【セミナー詳細】 ■開催日時：2024年11月25日(月) 13:30 - 15:30(開場13時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信、アーカイブ配信 ■講師：富士電機株式会社 半導体事業本部 フェロー（工学博士） 藤平 龍彦 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
