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インバータ動作時の電力損失を低減
『IGBTモジュール Xシリーズ』は、従来製品に比べてインバータ動作時の 電力損失を低減できる製品です。 電力損失低減と併せて発熱も抑制することで、従来製品より約36％の 小型化を達成。 また、高信頼性・高耐熱パッケージおよびチップの最適化により、 175℃連続動作を実現します。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【特長】 ■低損失 ■小型化 ■高温動作 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IGBT】
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。
業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・JEDEC 規格準拠 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。
