1～2 件を表示 ／ 全 2 件
インパルス放電電圧を低く抑えることが可能！より小型でより低耐電圧の電子部品を使用できます！
『NexGen GDT25 Series』は、先端GDTテクノロジーを採用し、業界最高 レベルの性能を発揮するSMDタイプ2電極GDTサージ保護素子です。 公称直流放電電圧75V、90V、350V、および600Vのモデルが選択可能。 これらの電圧範囲内ではカスタム電圧品も製造できます。 また、静電容量が小さいため、高速信号ライン、高周波アプリケーションへの 使用に適しています。 見積り、サンプル依頼は正規代理店のセイワまで。 【特長】 ■低インパルス放電電圧 ■低直流放電電圧 ■低静電容量 ■さまざまなサージ波形に対応可能な耐サージ性能 ■広い動作温度範囲 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
従来レベルの短い時間動作で消費電力と面積を低減
不安定なエネルギー供給下でも継続的な演算処理を可能にする間欠的コンピューティングのエッジデバイス実装において，不揮発記憶回路（不揮発レジスタ）を活用し、ローカルなデータ転送のみで内部状態を不揮発記憶処理できる不揮発ロジック回路構造が有望な選択肢となる。 従来の不揮発レジスタは、1ビット記憶回路（不揮発フリップフロップ、NV-FF）をビット数分接続する構成であり、1ビットあたり2個のMTJ素子を必要とするため、面積やエネルギーのオーバーヘッドが大きいという課題があった。これに対して発明者らは共有リファレンス方式（RLSS）という処理により消費エネルギーおよび面積を低減する効果をシミュレーションで確認したが、動作に必要な時間はレジスタのビット数に比例して増加するという新たな課題が生じた。 本発明は差分情報記憶方式（DISS）という方式を提案する。具体的には1ビットのデータを隣り合う2つのMTJ素子の抵抗状態の差分によって保持することで、バックアップ・リストアがそれぞれ2サイクルの動作で可能となり、消費エネルギーおよび面積の低減に加えて、動作時間も従来方式並みに抑える効果をシミュレーションで確認した。
