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トランジスタの大信号モデルがあれば出力電力や効率などの大信号特性を考慮した設計も可能！
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当資料では、高周波増幅回路の設計についてお話ししたいと思います。 高周波増幅回路は増幅素子、整合回路、バイアス回路で構成されています。 「増幅素子の選定」をはじめ、「整合回路の設計」、「バイアス回路の設計」の 構成順にご説明します。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■増幅素子の選定 ■整合回路の設計 ■バイアス回路の設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
スピントロニクス技術を利用した新しいインダクタ素子
コイルに生じる誘導起電力を使い回路電流を一定に保つ素子としてインダクタ素子が知られており、小型の電子機器で使用される回路素子には小型化が求められるが、構造上の制約から小型化には自ずと限界があった。本発明は、発明者らが研究しているスピントロニクス技術のインダクタの発現原理を利用して、従来のコイルや磁気構造のような「ねじれ」の必要ない「普遍的な磁性材料」で、安価で温度等に対し安定的な小型化が可能な特性可変インダクタ素子を実現する理論を実証した。
完全並列検索用セルを６Tr/４Trで実現し、1024ビット以上の並列動作が可能に！！
従来のSRAM/DRAMを用いたTCAMで、完全並列用TCAMを実現するには、回路規模が増大し、かつ、高消費電力の課題があった。 本発明は、不揮発記憶素子の一つであるMTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子の特性を活用し、演算と記憶機能の一体化を図り、非常にコンパクトかつ低消費電力なTCAMを実現した。 また、ダイオードNMOSトランジスタの活用により、144ビット並列動作を可能とするTCAMワード回路（マッチラインドライバー）を提言している。
グリップ力により発電！要求に応じ、カスタマイズが容易な圧電素子のご紹介
『MP-G』は、グリップ力により発電する圧電素子です。 柔軟な素材でできている為、低周波数帯での発電が可能。全て樹脂製の為、 形状・サイズ・重量など要求に応じ、カスタマイズが容易です。 発電量を確認、もしくは負荷に接続する場合は市販の整流回路に接続して ご利用ください。 【特長】 ■グリップ力により発電 ■発電させる場合は、数回握る ■発電素子からの出力電圧・電流は、交流 ■発電量を確認、もしくは負荷に接続する場合は市販の整流回路に接続 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
システムの性能が向上！歪み除去、タイミングクロック、データ信号に役立ちます
『遅延ライン/タイミング素子』は、システムの性能が向上するように 設計された集積回路(IC)です。 遅延コンポーネントは、遅延を発生させて電子回路内の時間を調整。 遅延デバイスへの入力信号は、設定時間が経過すると再び出力に発生します。 また、時間遅延チップは、歪み除去、タイミングクロック、データ信号に 役立ちます。ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【ラインアップ(抜粋)】 ■onsemi MC100EP196BMNG ■onsemi NB6L295MMNG ■Maxim Integrated DS1100Z-250+ ■Microchip SY89295UMG ■Renesas Electronics EL9115ILZ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
凸部を押す事により発電！柔軟な素材でできている為、低周波数帯での発電が可能
『ARCH TYPE』は、凸部を押す事により発電する圧電素子です。 柔軟な素材でできている為、低周波数帯での発電が可能。全て樹脂製の為、 形状・サイズ・重量など要求に応じ、カスタマイズが容易です。 発電量を確認、もしくは負荷に接続する場合は市販の整流回路に接続して ご利用ください。 【特長】 ■凸部を押す事により発電 ■発電させる場合は、数回押す ■発電素子からの出力電圧・電流は、交流 ■発電量を確認、もしくは負荷に接続する場合は市販の整流回路に接続 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体入手難に伴う電子部品置き換え検討に追われていませんか？
『電子部品の置き換え検討サービス』は、「電子部品の置き換え検討に 困っている…」その悩みを解決に導くサービスです。 電子部品の置き換え検討サービスに関して代替品調査、再設計、試作、 評価までワンストップで対応いたします。 アナログ・デジタルから高周波回路および基板・機構・熱設計と対応可能な 技術範囲が広く、お客様からの多様なニーズにお応えすることが可能です。 【特長】 ■代替品調査、再設計、試作、評価までワンストップで対応 ■対応可能な技術範囲が広い ■お客様からの多様なニーズにお応えすることが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
量子ビットのコヒーレンス時間増加、非調和性増大、フット プリント低減により高性能・高集積な量子コンピュータを実現
■東北大学技術のご紹介 量子コンピュータの量子ビットは、単一あるいは複数の超伝導トンネル接合(ジョセフソン接合)により構成され、代表的な電荷型量子ビットや磁束型量子ビットの研究開発が盛んである。現在の高集積化の主流は電荷型の改良版のトランスモン(Transmon)と呼ばれる量子ビットであり、コヒーレンス時間が長い利点があるが、非調和性が小さいためエラーの原因となる欠点がある。一方磁束型においては非調和性が大きい利点があるが、コヒーレンス時間が短い欠点があり、これを補うべくシャントキャパシタを付加するとフットプリント(１つの量子ビットが専有する面積)の増大が避けられないという課題があった。 本発明は上記課題を解決するもので、コヒーレンス時間と非調和性を実用上耐えうる値としながら、フットプリントも小さく高集積化が実現できる技術に関する。
従来レベルの短い時間動作で消費電力と面積を低減
不安定なエネルギー供給下でも継続的な演算処理を可能にする間欠的コンピューティングのエッジデバイス実装において，不揮発記憶回路（不揮発レジスタ）を活用し、ローカルなデータ転送のみで内部状態を不揮発記憶処理できる不揮発ロジック回路構造が有望な選択肢となる。 従来の不揮発レジスタは、1ビット記憶回路（不揮発フリップフロップ、NV-FF）をビット数分接続する構成であり、1ビットあたり2個のMTJ素子を必要とするため、面積やエネルギーのオーバーヘッドが大きいという課題があった。これに対して発明者らは共有リファレンス方式（RLSS）という処理により消費エネルギーおよび面積を低減する効果をシミュレーションで確認したが、動作に必要な時間はレジスタのビット数に比例して増加するという新たな課題が生じた。 本発明は差分情報記憶方式（DISS）という方式を提案する。具体的には1ビットのデータを隣り合う2つのMTJ素子の抵抗状態の差分によって保持することで、バックアップ・リストアがそれぞれ2サイクルの動作で可能となり、消費エネルギーおよび面積の低減に加えて、動作時間も従来方式並みに抑える効果をシミュレーションで確認した。
