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多層基板において、穴を貫通させずに必要な層間のみを接続する基板
多層基板において、穴を貫通させずに必要な層間のみを接続する基板です。プリント配線板の層数が増えるの伴って、需要が多くなってきました。内層にスルーホールを埋め込む形になるインナーバイアでも、外層と内層を接続するブラインドバイアホールのどちらでも製作可能です。また、通常の多層基板だけではなく、多層フレキ基板やリジッドフレキ基板でも対応可能です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
4層～24層まで対応可能です。 貫通樹脂埋め等の特殊な基板も対応
4層～24層まで対応可能です。 また、インピーダンスコントロールや貫通樹脂埋め等の特殊な基板も対応できます。真空プレス機 3 台を稼動させており、量産でも短納期対応が可能です。最短で実働日数 2 日での出荷が可能です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
ビルドアップ構造！レーザVIA、IVH、貫通VIAにて、様々な層間接続に対応
当社で取り扱っている高速信号・高密度基板『ビルドアップ基板』を ご紹介いたします。 4層～16層までのビルドアップ基板に対応しており、 ビルドアップ構造によりレーザVIA、IVH、貫通VIAにて、 様々な層間接続に対応。 狭ピッチ部品の搭載や、高密度化が可能です。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■4層～16層までのビルドアップ基板に対応 ■狭ピッチ部品の搭載や、高密度化が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コネクタレス実装を実現、フレックスリジッド基板
フレックスリジット基板は構造が複雑であり、工程も多く、日数がかかります。そのため、なかなか少量だとなかなか製作に踏み切れないこともあるのではないでしょうか？そんな悩みを解決します。ぜひともご相談ください。 【特徴】 ○リジッド基板とフレキシブル基板の異種材料での組み合わせの基板 ○フレキシブル基板、リジッド基板でそれぞれの良いところを利用 ○コネクタレスでの実装が可能 ○基板の省スペース化 ○平滑性・平坦度が通常のリジッド基板とほぼ同様に製作が可能 ○片面基板より高密度な配線・実装が可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
スルーホールに樹脂を埋め込み、その上にパッドを設ける基板です。
部品の搭載スペースを確保するために、スルーホールに樹脂を埋め込み、その上にパッドを設ける基板です。BGAやCSP等の部品の狭ピッチ化に伴い、需要が多くなってきました。真空印刷によって、樹脂及び金属ペーストを埋め込みます。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
お客様の設計思想にあった特殊基板を製造可能！難易度が高い設計や仕様にも対応
当社は、メッキ工程の設備や、ビルドアップ基板の製造ラインなど 基板製造に必要な一連の機器を社内に保有しています。 高度な加工技術や精度が求められる特殊基板の製造も 当社で一貫生産でき、しかも短納期でご提供可能です。 また、環境調査依頼や、基板製造後のお問い合わせなど、 納品後も専門のスタッフがしっかりお答えいたします。 【特長】 ■お客様の細かなご依頼に、柔軟に対応可能 ■データチェックを細かく行い、納期と費用の削減にも貢献 ■社内一貫生産、徹底納期管理による短納期対応が可能 ※詳しくは資料をご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
安価なサファイヤ基板上に、“超高品質”な窒化アルミニウム膜を作製可能！
紫外発光素子は、蛍光灯の代替、高密度ＤＶＤ、生化学用レーザ、光触媒による公害物質の分解、Ｈｅ－Ｃｄレーザ、水銀灯の代替など、次世代の光源として幅広く注目されている。 この紫外発光素子は、ワイドギャップ半導体と呼ばれるＡｌＧａＮ系窒化物半導体からなり、サファイアなどの異種基板上に積層される。一方、サファイア上に成長したＡｌＮ膜には多数の貫通転位が存在し品質が悪いといった課題があった。 本発明は、サファイア上に成長したＡｌＮ膜を有する基板をＮ２／ＣＯ混合ガス中で熱処理して形成するといった簡単な方法でＡｌＮ膜の結晶性を飛躍的に向上させるものである。
窒化物半導体結晶のブールを形成し、より安価にGaNを作製可能に
近年、発光ダイオードやレーザなどの発光素子に用いる半導体材料として、III族窒化物半導体（GaNやInGaN）が着目されている。この窒化物半導体は、赤外光から紫外光の広い波長範囲に対応するバンドギャップエネルギーを有し、青色や緑色などの発光ダイオードや、発振波長が紫外域から赤外域の半導体レーザの材料として有望視されている。しかし、窒素の気相・固相間の平衡蒸気圧が従来からあるIII-V族半導体材料に較べて数桁高いため、GaN単結晶基板を安価で作製することはできない。また、「自立基板」と称されるGaN基板を用いる方法もあるが、現状の作製技術では高いコストを要するといった課題がある。 本発明によって、より安価に貫通転位密度の少ない窒化物半導体自立基板が作製することが可能となった。本発明では、成長基板の主表面上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程から、複数の窒化物半導体自立基板を作製する工程までの、全7工程を備える。
ガラエポ基材、コンポジットが標準。その他にBTレジン等の特殊材も常備
FR-４（ガラエポ基材）、 CEM-３（コンポジット）を標準としておりますが、その他にBTレジン等の特殊材も常備しております。厚みも0.06 mm～ 3.2 mmまで幅広く揃えております。最短で実働日数 1 日での出荷が可能です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
特殊な製法を用いることによって最大400μの銅はく厚の基板の製作が可能
通常の厚みである18μの銅はくに大きな電流を流すと、銅はくが高い熱を発したり、場合によっては断線してしまうことがあり、非常に危険です。そのような基板は銅はくを厚くすることによって対応しますが、株式会社ケイツーでは35μ～105μまでであれば通常の基板製法で製作可能です。さらに、特殊な製法を用いることによって、最大400μの銅はく厚の基板の製作が可能です。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
