ノイズカットトランス NCT-R3-U2
絶縁物に関するUL規格「UL1446」および構造に関するUL規格「UL5085-1,UL5085-2」認定を取得したモデルです
UL規格に対応した中容量の障害波遮断変圧器《ノイズカットトランス》です。絶縁物に関するUL規格「UL1446」および、構造に関するUL規格「UL5085-1,UL5085-2」認定を取得したモデルです。本製品はお客様のご希望の仕様に合わせてカスタムメイドいたします。
- 企業:株式会社電研精機研究所
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年10月29日~2025年11月25日
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絶縁物に関するUL規格「UL1446」および構造に関するUL規格「UL5085-1,UL5085-2」認定を取得したモデルです
UL規格に対応した中容量の障害波遮断変圧器《ノイズカットトランス》です。絶縁物に関するUL規格「UL1446」および、構造に関するUL規格「UL5085-1,UL5085-2」認定を取得したモデルです。本製品はお客様のご希望の仕様に合わせてカスタムメイドいたします。
窒化物半導体結晶のブールを形成し、より安価にGaNを作製可能に
近年、発光ダイオードやレーザなどの発光素子に用いる半導体材料として、III族窒化物半導体(GaNやInGaN)が着目されている。この窒化物半導体は、赤外光から紫外光の広い波長範囲に対応するバンドギャップエネルギーを有し、青色や緑色などの発光ダイオードや、発振波長が紫外域から赤外域の半導体レーザの材料として有望視されている。しかし、窒素の気相・固相間の平衡蒸気圧が従来からあるIII-V族半導体材料に較べて数桁高いため、GaN単結晶基板を安価で作製することはできない。また、「自立基板」と称されるGaN基板を用いる方法もあるが、現状の作製技術では高いコストを要するといった課題がある。 本発明によって、より安価に貫通転位密度の少ない窒化物半導体自立基板が作製することが可能となった。本発明では、成長基板の主表面上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程から、複数の窒化物半導体自立基板を作製する工程までの、全7工程を備える。
熱を効率よく放熱する為、銅コインを埋め込んだ基板をご提供いたします。
多様化する電子部品の中には、動作時の発熱量が非常に大きいものがあります。 この様な電子部品の熱を効率よく放熱する為、三和電子サーキットでは銅コインを埋め込んだ基板をご提供いたします。 電源基板、高周波基板などの用途に最適です。 【特徴】 ○放熱対策へのソリューション(更なる放熱効果・設計自由度向上) ○高放熱素子の放熱対策 →2層から高多層基板までの様々な銅インレイ基板をご採用可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
50年以上の実績で、御社の電磁環境に適したノイズ対策のコンサルティング業務を承ります。
当社の「ノイズトラブル相談室」は、ノイズトラブル対策の専門技術部門として1983年に発足して以来、年間3,000件にも及ぶ様々なノイズ障害について御相談をお受けし、その解決に当たって来ました。今日までにおびただしい実績と豊富な経験を積んでおり、各方面からの多大な評価を戴いております。
情報処理装置・機器・システム等を高周波ノイズ障害から確実に守ります。
ノイズカットトランスは、アイソレーション形のノイズ防止素子の障害波遮断変圧器です。 最悪の電磁環境下でも情報処理装置・機器・システム等を高周波ノイズ障害から確実に守ります。 『障害波遮断変圧器 ノイズカットトランス 総合カタログ』では、スタンダードモデルの「NCT-F1型」、入出力共に100V・200V両用で使いやすく、外観的なデザインにも配慮した「NCT-F3・F4型」、コストパフォーマンスを追求した中容量の「NCT-F5・F6・F6-CE型」など、多数掲載しております。 【掲載製品】 ○NCT-F1型 ○NCT-F3・F4型 ○NCT-F5・F6・F6-CE型 ○NCT-J型 ○NCT-I1・I2型 他 詳しくはお問い合わせください。
熱を効率よく放熱する為、銅コインを埋め込んだ基板をご提供いたします。
多様化する電子部品の中には、動作時の発熱量が非常に大きいものがあります。 この様な電子部品の熱を効率よく放熱する為、三和電子サーキットでは銅コインを埋め込んだ基板をご提供いたします。 電源基板、高周波基板などの用途に最適です。 【特徴】 ○放熱対策へのソリューション(更なる放熱効果・設計自由度向上) ○高放熱素子の放熱対策 →2層から高多層基板までの様々な銅インレイ基板をご採用可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。